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    DieErfindung umfaßteine Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle. Die Vorrichtung umfaßt einen Schreibstromgeneratorzum Erzeugen eines Schreibstroms, wobei der Schreibstrom mit dermagnetischen Speicherzelle magnetisch gekoppelt ist. Die Vorrichtungumfaßtferner zumindest eine magnetische Testspeicherzelle, wobei der Schreibstrommit der zumindest einen magnetischen Testspeicherzelle magnetischgekoppelt ist. Ein Schaltansprechen der zumindest einen magnetischen Testspeicherzellebestimmt eine Größe des durchden Schreibstromgenerator erzeugten Schreibstroms. Das Verfahrenzum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetische Speicherzelleumfaßtein Liefern eines Testschreibstroms an eine magnetische Testspeicherzelle,ein Erfassen eines magnetischen Zustands der magnetischen Testspeicherzelle,um ein Schaltansprechen der magnetischen Testspeicherzelle zu bestimmen,und ein Erzeugen des Schreibstroms, der eine Größe aufweist, die von dem Schaltansprechenabhängigist.
    公开号:DE102004022736A1
    申请号:DE200410022736
    申请日:2004-05-07
    公开日:2005-04-07
    发明作者:Frederick A. Palo Alto Perner
    申请人:Hewlett Packard Development Co LP；
    IPC主号:G11C5-14
    专利说明:
    [0001] DieErfindung bezieht sich allgemein auf einen elektronischen Speicher.Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Vorrichtung undein Verfahren zum Erzeugen eines Schreibstroms für eine magnetische Speicherzelle.
    [0002] Einnicht-flüchtigerSpeicher ist ein Speicher, der auch dann seinen Inhalt (Daten) bewahrt,wenn die an den Speicher angeschlossene Leistung abgeschaltet wird.Ein magnetischer Direktzugriffsspeicher (MRAM) ist ein Typ einesnicht-flüchtigenSpeichers. Ein MRAM umfaßtein Speichern eines logischen Zustands bzw. Bits durch Einstellenvon Magnetfeldorientierungen von MRAM-Zellen in dem MRAM. Die Magnetfeldorientierungenbleiben auch dann noch bestehen, wenn die Leistung an die MRAM-Zellenabgeschaltet wird.
    [0003] 1 zeigt eine MRAM-Zelle 100.Die MRAM-Speicherzelle 100 umfaßt eine weichmagnetische Region 120,eine dielektrische Region 130 und eine hartmagnetischeRegion 110. Die Orientierung der Magnetisierung in derweichmagnetischen Region 120 ist nicht-feststehend undkann zwei stabile Orientierungen umfassen, wie sie durch den PfeilM1 gezeigt ist. Die hartmagnetische Region 110 (auch alsgepinnte („pinned") magnetische Regionbezeichnet) weist eine feststehende magnetische Orientierung auf,wie sie durch den Pfeil M2 gezeigt ist. Die dielektrische Region 130 liefertallgemein eine elektrische Isolierung zwischen der weichmagnetischen Region 120 undder hartmagnetischen Region 110.
    [0004] DieMRAM-Speicherzelle ist allgemein in der Nähe eines Kreuzungspunktes einerWortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) angeordnet. Die Wortleitungund die Bitleitung könnenverwendet werden, um den magnetischen Zustand der Speicherzelle einzustellenoder um einen bereits vorhandenen magnetischen Zustand der Speicherzellezu erfassen. 1 umfaßt fernereine naheliegende Wortleitung, die ebenfalls verwendet werden kann,um den magnetischen Zustand der MRAM-Speicherzelle 100 einzustellen.Ein Magnetfeld, wie es durch den Pfeil 150 gezeigt ist,kann durch einen Strom I, der durch die naheliegende Wortleitungfließt,induziert werden. Das induzierte Magnetfeld kann den magnetischen Zustandder MRAM-Speicherzelle 100 einstellen.
    [0005] Wiezuvor angegeben wurde, kann die Magnetisierungsorientierung derweichmagnetischen Region 120 zwei stabile Orientierungenannehmen. Diese zwei Orientierungen, die zu der magnetischen Orientierungder hartmagnetischen Region 110 entweder parallel oderantiparallel sind, bestimmen den logischen Zustand der MRAM-Speicherzelle 100.Die weichmagnetische Region 120 wird allgemein als die Erfassungs-oder Datenschicht bezeichnet, und die hartmagnetische Region 110 wirdallgemein als die gepinnte oder Referenzschicht bezeichnet.
    [0006] Diemagnetischen Orientierungen der MRAM-Speicherzellen können eingestellt(beschrieben) werden, indem elektrische Ströme, die durch die Wortleitungenund die Bitleitungen fließen,gesteuert werden, und könnensomit durch die entsprechenden Magnetfelder, die durch die elektrischenStrömeinduziert werden, eingestellt (beschrieben) werden. Da die Wortleitungund die Bitleitung in Kombination arbeiten, um die Magnetisierungsorientierungder ausgewähltenSpeicherzelle zu schalten bzw. umzuschalten (d.h. die Speicherzellezu beschreiben), könnendie Wortleitung und die Bitleitung kollektiv als Schreibleitungenbezeichnet werden. Zusätzlichkönnendie Schreibleitungen auch verwendet werden, um den in den Speicherzellengespeicherten logischen Wert zu lesen. Die an die Bitleitung unddie Wortleitung angelegten elektrischen Ströme stellen die Orientierungder Magnetisierung der Datenschicht in Abhängigkeit von den Richtungen derStröme,die durch die Bitleitung und die Wortleitung fließen, undsomit in Abhängigkeitvon den Richtungen der induzierten Magnetfelder ein, die durch dieStröme,die durch die Bitleitung und die Wortleitung fließen, erzeugtwerden.
    [0007] DieMRAM-Speicherzellen werden durch Erfassen eines Widerstandes über dieMRAM-Speicherzellen gelesen. Der Widerstand wird durch die Wortleitungenund die Bitleitungen erfaßt.Allgemein hängtder logische Wert (beispielsweise eine „0" oder eine „1") einer magnetischen Speicherzelle vonden relativen Magnetisierungsorientierungen in der Datenschichtund der Referenzschicht ab. Wenn beispielsweise bei einer Tunnel-Magnetowiderstandsspeicherzelle(einer Tunnelübergangsspeicherzelle) eineelektrische Potentialvorspannung über die Datenschicht und dieReferenzschicht angelegt wird, wandern Elektronen durch die Zwischenschicht(eine dünnedielektrische Schicht, die üblicherweiseals die Tunnelbarriereschicht bezeichnet wird) zwischen der Datenschichtund der Referenzschicht. Die Elektronenwanderung durch die Barriereschichtkann als quantenmechanisches Tunneln oder Spintunneln bezeichnetwerden. Der logische Zustand kann durch Messen des Widerstands derSpeicherzelle bestimmt werden. Beispielsweise befindet sich diemagnetische Speicherzelle in einem Zustand eines niedrigen Widerstands,wenn die Gesamtorientierung der Magnetisierung in ihrer Datenspeicherschichtparallel zu der gepinnten Orientierung der Magnetisierung der Referenzschichtist. Umgekehrt befindet sich die Tunnelungsübergangsspeicherzelle in einemhohen Widerstand, wenn die Gesamtorientierung der Magnetisierungin ihrer Datenspeicherschicht zu der gepinnten Orientierung derMagnetisierung der Referenzschicht antiparallel ist. Wie erwähnt wurde,wird der logische Zustand eines in einer magnetischen Speicherzellegespeicherten Bit geschrieben, indem externe Magnetfelder angelegtwerden, die die Gesamtmagnetisierungsorientierung der Datenschicht verändern. Dieexternen Magnetfelder könnenals Schaltfel der bezeichnet werden, die die magnetischen Speicherzellenzwischen hohen und niedrigen Widerstandszuständen schalten.
    [0008] 2 zeigt ein Array 210 vonMRAM-Speicherzellen. Die logischen Zustände jeder der MRAM-Speicherzellenkönnendurch induzierte Magnetfelder von Strömen, die durch die Bitleitungen (BL)und Wortleitungen (WL) fließen,magnetisch eingestellt werden. Es ist kritisch, daß die durchdie Bitleitungen (BL) und Wortleitungen (WL) erzeugten Magnetfeldergroß genugsind, um die Orientierung der Magnetisierung der ausgewählten Speicherzellendes Arrays von MRAM-Speicherzellen 210 auf zuverlässige Weiseeinzustellen.
    [0009] Allgemeinwerden die Bitleitungs- und die Wortleitungsauswahlen durch einenReihendecodierer 220 und einen Spaltendecodierer 230 durchgeführt. Dielogischen Zuständeder Speicherzellen werden durch einen Erfassungsverstärker 240 bestimmt.
    [0010] DasArray 210 von MRAM-Speicherzellen kann Halbwählfehleraufweisen, wenn in die Speicherzellen geschrieben wird. Speicherzellenwerden ausgewählt,indem eine bestimmte Bitleitung (BL) ausgewählt wird und indem eine bestimmteWortleitung (WL) ausgewähltwird. Ein Halbwählfehlertritt auf, wenn eine Speicherzelle, die einer ausgewählten Bitleitungund einer nicht ausgewähltenWortleitung zugeordnet ist, ihren Zustand ändert oder wenn eine Speicherzelle,die einer nicht ausgewähltenBitleitung und einer ausgewähltenWortleitung zugeordnet ist, ihren Zustand ändert. Halbwählfehlerverschlechtern deutlich die Leistungsfähigkeit eines MRAM-Speichers.
    [0011] Esist wünschenswert,Halbwählfehlervon MRAM-Speicherzellenin Arrays von MRAM-Speicherzellen zu minimieren. Ferner ist es wünschenswert,zu gewährleisten,daß Schreiboperationenin die MRAM-Speicherzellen folgerichtig und zuverlässig sind.
    [0012] DieAufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Vorrichtung,ein Verfahren, ein Array von magnetischen Speicherzellen sowie einRechensystem mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
    [0013] DieseAufgabe wird durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ein Verfahrengemäß Anspruch 14,ein Array von magnetischen Speicherzellen gemäß Anspruch 23 sowie durch einRechensystem gemäß Anspruch24 gelöst.
    [0014] DieErfindung umfaßteine Vorrichtung und ein Verfahren zum Schreiben in magnetischeSpeicherzellen. Die Vorrichtung und das Verfahren minimieren Halbwählfehler,währendsie trotzdem Schreiboperationen in die MRAM-Speicherzellen bereitstellen,die folgerichtig und zuverlässigsind.
    [0015] EinAusführungsbeispielder Erfindung umfaßteine Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle. Die Vorrichtung umfaßt einen Schreibstromgenerator zumErzeugen eines Schreibstroms, wobei der Schreibstrom mit der magnetischenSpeicherzelle magnetisch gekoppelt ist. Die Vorrichtung umfaßt fernerzumindest eine magnetische Testspeicherzelle, wobei der Schreibstrommit der zumindest einen magnetischen Testspeicherzelle magnetischgekoppelt ist. Ein Schaltansprechen der zumindest einen magnetischenTestspeicherzelle bestimmt eine Größe des durch den Schreibstromgeneratorerzeugten Schreibstroms.
    [0016] Einweiteres Ausführungsbeispielder Erfindung umfaßtein Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle. Das Verfahren umfaßt ein Liefern eines Testschreibstromsan eine magnetische Testspeicherzelle, ein Erfassen eines magnetischenZustands der magnetischen Testspeicherzelle, um ein Schaltansprechender magnetischen Testspeicherzelle zu bestimmen, und ein Erzeugendes Schreibstroms, der eine Größe aufweist,die von dem Schaltansprechen abhängigist.
    [0017] BevorzugteAusführungsbeispieleder vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme aufdie beiliegenden Zeichnungen nähererläutert.Es zeigen:
    [0018] 1 eine bekannte MRAM-Speicherzelle;
    [0019] 2 ein Array von MRAM-Speicherzellen;
    [0020] 3 eine Darstellung, dieeine Beziehung zwischen einem Magnetspeicherschreibstrom und möglichenSpeicherschreibfehlern zeigt;
    [0021] 4 eine Darstellung, dieeine Intensität vonextern angelegten Magnetfeldern zeigt, die erforderlich ist, umzu bewirken, daß eineMRAM-Speicherzelle ihren Zustand ändert;
    [0022] 5 ein Ausführungsbeispielder Erfindung;
    [0023] 6 ein weiteres Ausführungsbeispielder Erfindung;
    [0024] 7 Zeitlinien eines Schreibstromseiner Achse der leichten Magnetisierbarkeit bzw. eines Leichte-Achse-Schreibstromsund eines Schreibstroms einer Achse der harten Magnetisierbarkeitbzw. eines Harte-Achse-Schreibstroms während einer Initialisierung;
    [0025] 8 Handlungen, die in einemVerfahren zum Bestimmen eines Magnetspeicherschreibstroms gemäß einemAusführungsbeispielder Erfindung enthalten sind;
    [0026] 9 eine Darstellung, dieeine Intensität vonextern angelegten Magnetfeldern zeigt, die erforderlich ist, umzu bewirken, daß eineMRAM-Speicherzelle ihren Zustand ändert, für zwei unterschiedliche MRAM-Zellen-Temperaturen;
    [0027] 10A Handlungen, die in einemVerfahren zum Überwacheneines Magnetspeicherschreibstroms gemäß einem Ausführungsbeispiel derErfindung enthalten sind;
    [0028] 10B Zeitlinien eines Leichte-Achse-Schreibstromsund eines Harte-Achse-Schreibstroms während eines Verfahrens einer Schreibstromüberwachung;
    [0029] 11A Handlungen, die in einemVerfahren zum Überwacheneines Magnetspeicherschreibstroms gemäß einem Ausführungsbeispiel derErfindung enthalten sind; und
    [0030] 11B Zeitlinien eines Leichte-Achse-Schreibstromsund eines Harte-Achse-Schreibstroms während eines Verfahrens einer Schreibstromüberwachung.
    [0031] DieErfindung umfaßteine Vorrichtung und ein Verfahren zum Schreiben in magnetischeSpeicherzellen. Die Vorrichtung und das Verfahren minimieren Halbwählfehler,währendsie den MRAM-Speicherzellen trotzdem Schreiboperationen liefern,die folgerichtig und zuverlässigsind.
    [0032] 3 ist eine Darstellung,die eine Beziehung zwischen einem Magnetspeicherschreibstrom undmöglichenSpeicherschreibfehlern zeigt.
    [0033] 3 zeigt, daß, wennder Schreibstrom an eine magnetische Speicherzelle in einem Arrayvon magnetischen Speicherzellen größer als I2 ist, die magnetischenSpeicherzellen in dem Array wahrscheinlich Halbwählfehler aufweisen. Wie zuvorbeschrieben wurde, treten Halbwählfehlerauf, wenn eine Speicherzelle, die einer ausgewählten Bitleitung und einernicht ausgewähltenWortleitung zugeordnet ist, ihren Zustand ändert, oder wenn eine Speicherzelle,die einer nicht ausgewähltenBitleitung und einer ausgewähltenWortleitung zugeordnet ist, ihren Zustand ändert. Allgemein treten Halbwählfehlerauf, wenn die Größe des Schreibstroms zugroß istund wenn mehr Speicherzellen als die gewünschte Speicherzelle magnetischinduziert werden, ihren Zustand zu ändern.
    [0034] 3 zeigt ferner, daß, wennder Schreibstrom unter I1 ist, Speicherzellenschreibfehler auftreten.Wenn der Schreibstrom unter einer Schwelle (I1) liegt, ist der durchden Schreibstrom erzeugte magnetische Strom im Grunde zu gering,um magnetisch in die Speicherzelle zu schreiben bzw. dieselbe zubeschreiben.
    [0035] Wiedurch 3 nahegelegt ist,gibt es allgemein einen optimalen Schreibstrombereich für magnetischeSpeicherzellen in einem Array von magnetischen Speicherzellen. Deroptimale Bereich ist groß genug,um auf zuverlässigeWeise in die magnetische Speicherzelle zu schreiben, jedoch niedriggenug, um in anderen magnetischen Speicherzellen in dem Array vonmagnetischen Speicherzellen keine Halbwählfehler zu bewirken.
    [0036] 4 ist eine Darstellung,die eine Intensität vonextern angelegten Magnetfeldern zeigt, die erforderlich ist, umzu bewirken, daß eineMRAM-Speicherzelle ihren Zustand ändert. Eine erste Achse ist eineHx-Achse, und eine zweite Achse ist eine Hy-Achse. Eine Speicherzelleeines magnetischen Tunnelübergangskann allgemein physisch durch eine X-Achse und eine Y-Achse dargestelltwerden. Allgemein entspricht die X-Achse der beschriebenen Magnetischer-Tunnelübergang-Speicherzelle der längsten Querschnittsabmessungder Magnetischer-Tunnelübergang-Speicherzellen.Allgemein entspricht die längsteQuerschnittsabmessung der Magnetischer-Tunnelübergang-Speicherzellen der stabilstenmagnetischen Orientierung der Magnetischer-Tunnelübergang-Speicherzellen. Deshalbist die X-Achse der Magnetischer-Tunnelübergang-Speicherzellenallgemein die stabilste magnetische Orientierung der Magnetischer-Tunnelübergang-Speicherzellen. Folglichumfassen zwei stabile magnetische Orientierungen der Zellen desmagnetischen Tunnelübergangs allgemeinzwei magnetische Orientierungen, wie sie durch die X-Achse der Speicherzellendefiniert sind.
    [0037] 4 zeigt die Magnetfeldintensität, die erforderlichist, um die magnetische Orientierung der weichmagnetischen Regionder magnetischen Speicherzelle „umzuschalten" oder zu ändern. Beispielsweisezeigt ein erster Quadrant 405 der Darstellung der 4 das Hx-Magnetfeld, dasbenötigtwird, um zu bewirken, daß dieMRAM-Speicherzelle magnetische Zustände für verschiedene Werte einesangelegten Hy-Magnetfeldes ändert. Einerster Schaltpunkt 410 schlägt ein Erster-Pegel-Hx1 dererforderlichen Hx-Magnetfeldintensität, um denmagnetischen Zustand der Speicherzelle für einen ersten Pegel Hy1 derHy-Magnetfeldintensität zu ändern, vor. Einzweiter Schaltpunkt 420 schlägt einen zweiten Pegel Hx2der erforderlichen Hx-Magnetfeldintensität, um den magnetischen Zustandder Speicherzelle füreinen zweiten Pegel Hy2 der Hy-Magnetfeldintensität zu ändern, vor.Die erforderliche Hx2-Magnetfeldintensität des zweitenSchaltpunkts 420 ist größer alsdie erforderliche Hx1-Magnetfeldintensität des ersten Schaltpunkts 410.
    [0038] DieHy-, Hx-Schaltcharakteristika der magnetischen Speicherzellen können verwendetwerden, um Halbwählfehlerzu minimieren. Genauer gesagt verringert ein Erhöhen des Hy-Magnetfelds einer ausgewählten Speicherzelledas Hx-Magnetfeld,das erforderlich ist, um in die magnetische Zelle zu schreiben.Somit umfassen andere nicht ausgewählte magnetische Speicherzellenin einem Array von magnetischen Speicherzellen ein Hy-Magnetfeld, dasvernachlässigbarist, und erfordern somit, daß eingrößeres Hx-Magnetfeldeine Zustandsänderung bewirkt.AusgewählteSpeicherzellen, die physisch an einem Kreuzungspunkt zwischen einerBitleitung und einer Wortleitung angeordnet sind, sollten einen Schreibstromumfassen, der ein Hy-Magnetfeld umfaßt, das so groß ist, wiees sinnvollerweise möglich ist,um Halbwählfehlerzu minimieren.
    [0039] DieHy-, Hx-Schaltcharakteristika der magnetischen Speicherzellen können fernerverwendet werden, um Schreibfehler zu minimieren. Genauer gesagtkann fürein ausgewähltesHx ein Hy-Magnetfeld ausgewähltwerden, um zu gewährleisten,daß dieausgewählteSpeicherzelle ordnungsgemäß beschriebenwird. Das heißt,daß einHy-Magnetfeld ausgewähltwerden kann, das ein zuverlässiges Schreibenin die ausgewähltemagnetische Speicherzelle gewährleistet.Selbstverständlichkann das Hy-Magnetfeld nicht so groß sein, daß die oben beschriebenen Halbwählfehlerauftreten.
    [0040] 5 zeigt ein Ausführungsbeispielder Erfindung. Dieses Ausführungsbeispielumfaßteine Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle. Ein Schreibstromgenerator 510 erzeugt einenSchreibstrom. Je nach Zeilenauswahlleitungen und Spaltenauswahlleitungenist der Schreibstrom magnetisch mit einer ausgewählten magnetische Speicherzellein einem Array von magnetischen Speicherzellen 520 gekoppelt.
    [0041] DasAusführungsbeispielder 5 umfaßt zumindesteine magnetische Testspeicherzelle 530. Der durch den Schreibstromgenerator 510 erzeugte Schreibstromist magnetisch mit zumindest einer magnetischen Testspeicherzelle 520 gekoppelt.Ein Schaltansprechen der zumindest einen magnetischen Testspeicherzellekann verwendet werden, um eine Größe des durch den Schreibstromgeneratorerzeugten Schreibstroms zu bestimmen.
    [0042] DasAnsprechen der magnetischen Testspeicherzelle kann verwendet werden,um den optimalen Schreibstrom zu bestimmen. Das heißt, daß das Ansprechender magnetischen Testspeicherzelle verwendet werden kann, um denzuvor beschriebenen optimalen Schreibstrombereich zu bestimmen,in dem der Schreibstrom groß genugist, um ein zuverlässigesSchreiben in eine ausgewählteSpeicherzelle in dem Array von magnetischen Speicherzellen 520 bereitzustellen,jedoch klein ge nug ist, so daß Halbwählfehlerin dem Array von magnetischen Speicherzellen minimiert werden.
    [0043] 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel derErfindung. Dieses Ausführungsbeispielzeigt ausführlicher,wie der optimale Schreibstrom bestimmt werden kann. Der Schreibstromgenerator 510 dieses Ausführungsbeispielsumfaßteinen Digital-Analog-Wandler eines Leichte-Achse-Stroms (IADC) 640 und einenHarte-Achse-IADC 650. Der Leichte-Achse-IADC 640 undder Harte-Achse-IADC 650 erzeugen eine Serie von gepulstenSchreibsignalen, wie in der Darstellung 692 gezeigt ist.Die Pulse liegen in Form eines Stroms vor, der ein Magnetfeld induzierenkann.
    [0044] EinSchalter 670 der leichten Achse empfängt die gepulsten Schreibsignale 692 desLeichte-Achse-IADC 640 und wechselt diese Polarität der Pulse.Das heißt,daß derSchalter 670 der leichten Achse eine Schalterausgabe erzeugt,die das gepulste Schreibsignal des Leichte-Achse-IADC 640 umfaßt, beidem die Polarität(positiv und negativ) des gepulsten Signals (als 694 gezeigt)von einem Puls zum nächstenalterniert.
    [0045] DiesesAusführungsbeispielumfaßtkeinen Harte-Achse-Schalter.Die unipolaritätsgepulsten Schreibsignaledes Harte-Achse-IADC 650 sind mit den magnetischen Testspeicherzellen 520 gekoppelt.
    [0046] DieAbwechselnde-Polarität-Pulsedes Leichte-Achse-IADC 640 und der Schalter 670 der leichtenAchse liefern ein Abwechselnde-Polarität-gepulstes Magnetfeld, dasentlang der leichten Achse der magnetischen Testspeicherzellen 520 verläuft. DieUnipolarität-Pulsedes Harte-Achse-IADC 650 liefern ein Unipolarität-gepulstesMagnetfeld, das entlang der harten Achse der magnetischen Testspeicherzellen 520 verläuft.
    [0047] EineSteuerung 610 liefert eine Zeitgebungs- und Amplitudensteuerungdes Leichte-Achse-IADC 640 und des Harte-Achse-IADC 650.Ein Erfassungsverstärker 690 erfaßt die logischenZuständeder magnetischen Testspeicherzellen 520. Der Erfassungsverstärker 690 istmit der Steuerung verbunden, so daß die Steuerung den logischenZustand der magnetischen Testspeicherzellen 520 bestimmenkann.
    [0048] EineFunktionsweise der Erfindung umfaßt, daß die Steuerung den Harte-Achse-IADC 650 aufeinen Vorgabewert einstellt. Anschließend setzt die Steuerung denLeichte-Achse-IADC 640 auf Null und inkrementiert anschließend denLeichte-Achse-IADC 640 ,bis die Steuerung erfaßt,daß einemagnetische Testspeicherzelle aufgrund des wechselnden gepulstenMagnetfeldes, das durch den Leichte-Achse-IADC 640 erzeugtwird, ihren Zustand geändert hat.Anschließendspeichert die Steuerung diesen ersten Wert des Leichte-Achse-IADC 640.Dies stellt den minimalen Stromwert des Leichte-Achse-IADC 640 dar,der erforderlich ist, um zuverlässigin die magnetische Testspeicherzelle zu schreiben. Anschließend stelltdie Steuerung den Harte-Achse-IADC 650 auf Null. Die Steuerunginkrementiert anschließend denWert des Leichte-Achse-IADC 640 weiter,bis die magnetische Testspeicherzelle aufgrund des wechselnden gepulstenMagnetfeldes, das durch den Leichte-Achse-IADC 640 erzeugtwird, ihren Zustand geänderthat. Die Steuerung speichert anschließend diesen zweiten Wert desLeichte-Achse-IADC 640. Dies stellt den maximalen Stromwertdes Leichte-Achse-IADC 640 dar. Werte des Leichte-Achse-IADC 640,die diese oder eine größere Größe aufweisen,bewirken Halbwählfehlerbei nicht ausgewähltenmagnetischen Speicherzellen. Anschließend berechnet die Steuerungeinen Stromwert der leichten Achse, der ein Durchschnitt des erstenWertes des Leichte-Achse-IADC 640 unddes zweiten Werts des Leichte-Achse-IADC 640 ist. Der Durchschnittswertstellt einen Stromwert der leichten Achse dar, der in Verbindungmit dem Vorgabewert der harten Achse Schreibfehler und Halbwählfehlermini miert. Der standardmäßige Wertdes Harte-Achse-IADC 650 wird später beschrieben.
    [0049] 7 zeigt Zeitlinien einesLeichte-Achse-Schreibstroms (IE) und eines Harte-Achse-Schreibstroms(IH) währendeiner Initialisierung. Der Harte-Achse-Schreibstrom (IH) wird anfänglich aufeinen Vorgabewert eingestellt. Der Leichte-Achse-Schreibstrom (IE) wird von einemAnfangswert von ungefährNull rampenförmigerhöht.Während derLeichte-Achse-Schreibstrom(IE) rampenmäßig erhöht wird,wird ein Punkt erreicht, an dem die magnetische Testspeicherzellebeginnt, ihren Zustand zu ändern.Ein Ausgangssignal von dem Erfassungsverstärker 690 SA aus gibteine Zustandsänderungder magnetischen Testspeicherzelle an (Punkt 710 bei 7). Nachdem dieser Punkterhalten wurde, wird ein erster Wert des Leichte-Achse-Schreibstroms (IE)gespeichert. Der erste Wert stellt den Leichte-Achse-Schreibstrom(IE) dar, der erforderlich ist, um ordnungsgemäß in die magnetische Testspeicherzellezu schreiben.
    [0050] Anschließend wirdder Harte-Achse-Schreibstrom (IH) auf Null gesetzt. Das rampenmäßige Erhöhen desLeichte-Achse-Schreibstroms (IE)wird fortgesetzt, bis das Ausgangssignal von dem Erfassungsverstärker 690 SAaus wiederum eine Zustandsänderungder magnetischen Testspeicherzelle angibt (Punkt 720 bei 7). Nachdem dieser Punkterhalten wurde, wird ein zweiter Wert des Leichte-Achse-Schreibstroms(IE) gespeichert. Der zweite Wert stellt die Menge an Leichte-Achse-Schreibstrom(IE) dar, um zu bewirken, daß Halbwählfehlerauftreten.
    [0051] DerHarte-Achse-Schreibstrom (IH) wird anschließend zu dem Vorgabewert zurückgeschaltet, undder Leichte-Achse-Schreibstrom(IE) kann anschließendzu einem Wert geschaltet werden, der zu einem Durchschnitt (IDurchschnitt)des ersten und des zweiten Werts des Leichte-Achse-Schreibstroms (IE) äquivalentist.
    [0052] 8 zeigt Handlungen, diein einem Verfahren zum Bestimmen eines Magnetspeicherschreibstromsgemäß einemAusführungsbeispiel derErfindung enthalten sind.
    [0053] Einerster Schritt 810 umfaßt ein Liefern eines Testschreibstromsan eine magnetische Testspeicherzelle.
    [0054] Einzweiter Schritt 820 umfaßt ein Erfassen eines magnetischenZustands der magnetischen Testspeicherzelle, um ein Schaltansprechender magnetischen Testspeicherzelle zu bestimmen.
    [0055] Eindritter Schritt 830 umfaßt ein Erzeugen des Schreibstroms,dessen Größe von demSchaltansprechen abhängigist.
    [0056] Einvierter Schritt 840 umfaßt ein Bestimmen eines gewünschtenLeichte-Achse-Schreibstroms durch Mitteln des ersten und des zweitenWertes des Leichte-Achse-Schreibstroms.
    [0057] 9 ist eine Darstellung,die eine Intensität vonextern angelegten Magnetfeldern zeigt, die erforderlich ist, umzu bewirken, daß eineMRAM-Speicherzelle ihren Zustand ändert, für zwei unterschiedliche MRAM-Zellen-Temperaturen.Eine erste Kurve 910 stellt die Magnetfeldintensität dar, dieerforderlich ist, um die magnetische Orientierung eines magnetischenTunnelübergangsfür eineerste Temperatur zu ändernoder umzuschalten. Eine zweite Kurve 920 stellt die Magnetfeldintensität dar, dieerforderlich ist, um die magnetische Orientierung eines magnetischenTunnelübergangsfür einezweite Temperatur zu verändernoder umzuschalten.
    [0058] Esversteht sich, daß Änderungender Schaltkurven auch auf andere Gründe als die Temperatur zurückzuführen seinkön nen.Beispielsweise könntensich die Schaltkurven auch aufgrund eines Alterns ändern.
    [0059] DieAuswirkung der Temperatur auf die Fähigkeit, den Zustand des magnetischenTunnelübergangszu ändern,kann beobachtet werden, indem das Hx-Magnetfeld, das erforderlichist, um den Zustand der magnetischen Tunnelübergänge für ein feststehendes Hy-Magnetfeld,wie es durch die Linie 930 gezeigt ist, zu ändern, beobachtetwird. Wie durch Linie 910 gezeigt ist, beträgt die erforderliche Hx-Magnetfeldintensität für ein feststehendes Hy-Magnetfeldvon Hy1 fürdie erste Temperatur Hx1, und die erforderliche Hx-Magnetfeldintensität beträgt für die zweiteTemperatur Hx1'.Hx1' ist niedrigerals Hx1, wenn die zweite Temperatur höher ist als die erste Temperatur.
    [0060] Variationender Schaltkurven der magnetischen Speicherzellen können erfordern,daß deroptimale Schreibstrom überdie Zeit oder Temperatur aktualisiert oder modifiziert wird.
    [0061] 10A zeigt Handlungen, diein einem Verfahren zum Überwacheneines Magnetspeicherschreibstroms gemäß einem Ausführungsbeispiel derErfindung enthalten sind. Das Verfahren umfaßt ein periodisches Neukalibrierendes Schreibstroms.
    [0062] Einerster Schritt 1010 umfaßt ein Subtrahieren eines Deltastromsvon dem Leichte-Achse-Schreibstroms, während der Harte-Achse-Schreibstromsauf einem Vorgabewert gehalten wird.
    [0063] Einzweiter Schritt 1020 umfaßt ein Verifizieren, daß der Schreibstromimmer noch geeignet ist, um die zumindest eine magnetische Testspeicherzellezu schalten.
    [0064] Eindritter Schritt 1030 umfaßt, falls der Schreibstromnicht geeignet ist, um die zumindest eine magnetische Test speicherzellezu schalten, ein Inkrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms, bis der Schreibstromgeeignet ist, um die zumindest eine magnetische Testspeicherzellezu schalten.
    [0065] Einvierter Schritt 1040 umfaßt ein Einstellen des Harte-Achse-Schreibstromsauf den Vorgabewert und ein Einstellen des Leichte-Achse-Schreibstromsauf den inkrementierten Leichte-Achse-Schreibstrom plus den Deltastrom.
    [0066] Gewünschte Wertefür denHarte-Achse-Standardstrom, den Deltastrom und die Auflösung derInkrementwerte kann in Abhängigkeitvon den physischen Charakteristika und Materialien, die bei denmagnetischen Speicherzellen verwendet werden, geschätzt undcharakterisiert werden.
    [0067] 10B zeigt Zeitlinien einesLeichte-Achse-Schreibstroms und eines Harte-Achse-Schreibstromswährendeines Verfahrens eines Schreibstromüberwachens. Eine erste Zeitlinie 1005 zeigtden Leichte-Achse-Schreibstrom währenddes Verfahrens des Überwachensdes Schreibstroms. Eine zweite Zeitlinie 1015 zeigt denHarte-Achse-Schreibstrom währenddes Verfahrens zum Überwachendes Schreibstroms: Eine dritte Zeitlinie 1025 zeigt einenZustand (SA_test) einer magnetischen Testspeicherzelle während desVerfahrens des Überwachensdes Schreibstroms.
    [0068] DerLeichte-Achse-Schreibstrom (Zeitlinie 1005) beginnt beieinem Anfangswert. Ein Deltastromwert wird anschließend vondem Leichte-Achse-Schreibstrom subtrahiert. Falls der Zustand (SA_test)der magnetischen Testspeicherzellen aufhört, umzuschalten (bei Punkt 1026 derZeitlinie 1025 der 10B gezeigt),wird der Leichte-Achse-Strom inkrementiert (Punkt 1006).Währendder Leichte-Achse-Strom inkrementiert wird, beginnt der Zustandder magnetischen Testspeicherzellen schließlich umzuschalten (Punkt 1027).Bei 10B beginnen diemagnetischen Testspeicherzellen nach dem vierten (4) Inkrement (Punkt 1007)des Leichte-Achse- Stromsumzuschalten. Wenn die magnetischen Testspeicherzellen beginnen,umzuschalten, wird das Inkrementieren des Leichte-Achse-Stroms angehalten.Der Deltastrom wird anschließendzu dem Leichte-Achse-Schreibstrom hinzuaddiert.
    [0069] DasVerfahren zum Überwacheneines Magnetspeicherschreibstroms der 10A, 10B soll gewährleisten,daß derSchreibstrom groß genugist, um ein ordentliches Beschreiben der magnetischen Speicherzellenzu gewährleisten.
    [0070] 11A zeigt Handlungen, diein einem Verfahren zum Überwacheneines Magnetspeicherschreibstroms gemäß einem Ausführungsbeispiel derErfindung enthalten sind. Ein Überwachendes Schreibstroms umfaßtein periodisches Neukalibrieren des Schreibstroms.
    [0071] Einerster Schritt 1110 umfaßt ein Hinzufügen einesDeltastroms zu dem Leichte-Achse-Strom, während der Harte-Achse-Schreibstrom aufNull gesetzt wird.
    [0072] Einzweiter Schritt 1120 umfaßt ein Verifizieren, daß der Schreibstromdie zumindest eine magnetische Testspeicherzelle nicht umschaltet.
    [0073] Eindritter Schritt 1130 umfaßt, falls der Schreibstromdie zumindest eine magnetische Testspeicherzelle umschaltet, einDekrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms, bis der Schreibstrom diezumindest eine magnetische Testspeicherzelle nicht umschaltet.
    [0074] Einvierter Schritt 1140 umfaßt ein Einstellen des Harte-Achse-Schreibstromsauf den Vorgabewert und ein Einstellen des Leichte-Achse-Schreibstromsauf den dekrementierten Wert des Leichte-Achse-Schreibstroms minusden Deltastrom.
    [0075] Gewünschte Wertefür denHarte-Achse-Standardstrom, den Deltastrom und die Auflösung derDekrementwerte könnenin Abhängigkeitvon den physischen Charakteristika und Mate rialien, die bei denmagnetischen Speicherzellen verwendet werden, geschätzt undcharakterisiert werden.
    [0076] 11B zeigt Zeitlinien einesLeichte-Achse-Schreibstroms und eines Harte-Achse-Schreibstromswährendeines Verfahrens eines Schreibstromüberwachens. Eine erste Zeitlinie 1105 zeigtden Leichte-Achse-Schreibstrom währenddes Verfahrens des Überwachensdes Schreibstroms. Eine zweite Zeitlinie 1115 zeigt denHarte-Achse-Schreibstrom währenddes Verfahrens des Überwachensdes Schreibstroms. Eine dritte Zeitlinie 1125 zeigt einenZustand einer magnetischen Testspeicherzelle während des Verfahrens des Überwachensdes Schreibstroms.
    [0077] DerLeichte-Achse-Schreibstrom (Zeitlinie 1105) beginnt beieinem Anfangswert. Der Harte-Achse-Schreibstrom wird auf Null eingestellt (Punkt 1116 derZeitlinie 1115). Ein Deltastromwert wird anschließend zudem Leichte-Achse-Strom (Punkt 1106) hinzuaddiert. Fallsder Zustand (SA_test) der magnetischen Testspeicherzellen nicht aufhört, umzuschalten(wie durch die Zeitlinie 1125 der 11B gezeigt ist), so wird der Leichte-Achse-Stromdekrementiert (Punkt 1107). Während der Leichte-Achse-Stromdekrementiertwird, beginnt der Zustand der magnetischen Testspeicherzellen schließlich, mitdem Umschalten aufzuhören(Punkt 1126). Bei 11B hören diemagnetischen Testspeicherzellen nach dem vierten (4) Dekrement des Leichte-Achse-Stromsauf, umzuschalten. Wenn die magnetischen Testspeicherzellen aufhören, umzuschalten,wird das Dekrementieren des Leichte-Achse-Stromsangehalten. Der Deltastromwertwird dann von dem Leichte-Achse-Schreibstrom subtrahiert, und derHarte-Achse-Schreibstromwird auf den Vorgabewert eingestellt.
    [0078] DasVerfahren zum Überwacheneines Magnetspeicherschreibstroms der 11A, 11B soll gewährleisten,daß derSchreibstrom klein genug ist, um Halbwählfehler zu minimieren, wennin die magnetischen Speicherzellen geschrieben wird.
    权利要求:
    Claims (24)
    [1] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstromsfür einemagnetische Speicherzelle (520), die folgende Merkmaleaufweist: einen Schreibstromgenerator (510) zum Erzeugen einesSchreibstroms, wobei der Schreibstrom mit der magnetischen Speicherzelle(520) magnetisch gekoppelt ist; zumindest eine magnetischeTestspeicherzelle (530), wobei der Schreibstrom mit derzumindest einen magnetischen Testspeicherzelle (530) magnetischgekoppelt ist; wobei ein Schaltansprechen der zumindest einenmagnetischen Testspeicherzelle (530) eine Größe des durch denSchreibstromgenerator (510) erzeugten Schreibstroms bestimmt.
    [2] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch1, bei der der Schreibstrom, der mit der zumindest einen magnetischenTestspeicherzelle (530) magnetisch gekoppelt ist, einekontinuierliche Serie von Pulsen aufweist, wobei die Pulse eineabwechselnde Polaritätaufweisen.
    [3] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch1 oder 2, die ferner folgendes Merkmal aufweist: einen Magnetische-Testspeicherzelle-Zustandsdetektor(690) zum Erfassen eines logischen Zustands der zumindesteinen magnetischen Testspeicherzelle (530), wobei ein Ausgangdes Magnetische-Testspeicherzelle-Zustandsdetektors (690) zudem Schreibstromgenerator (510) zurückgekoppelt wird.
    [4] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß einemder Ansprüche1 bis 3, bei der der Schreibstromgenerator (510) einenLeichte-Achse-Schreibstrom (640) und einen Harte-Achse-Schreibstrom(650) aufweist.
    [5] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß einemder Ansprüche1 bis 4, bei der die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) zwei magnetische Testspeicherzellen umfaßt, wobeiReferenzschichten der zwei magnetischen Testspeicherzellen in entgegengesetzten Richtungenorientiert sind.
    [6] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch4 oder 5, bei der der Schreibstrom zumindest teilweise durch einEinstellen des Harte-Achse-Schreibstromsauf einen Vorgabewert und durch ein Inkrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms,bis zumindest eine magnetische Speicherzelle (520) diemagnetischen Orientierungen umschaltet, und durch ein Speicherndes Ileichtl-Stromwerts bestimmt wird.
    [7] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch4 oder 5, bei der der Schreibstrom zumindest teilweise durch einEinstellen des Harte-Achse-Schreibstromsauf einen Nullwert und durch ein Inkrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms,bis zumindest eine magnetische Speicherzelle (520) diemagnetischen Orientierungen umschaltet, und durch ein Speicherndes Ileicht2-Stromwerts bestimmt wird.
    [8] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch6, bei der der Schreibstrom zumindest teilweise durch ein Einstellendes Harte-Achse-Schreibstroms auf einen Nullwert und durch ein Inkrementierendes Leichte-Achse-Schreibstroms, bis zumindest eine magnetische Speicherzelle(520) die magnetischen Orientierungen umschaltet, und durchein Speichern des Ileicht2-Stromwertsbestimmt wird.
    [9] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch8, bei der der Schreibstrom zumindest teilweise durch ein Mitteln derWerte des Ileichtl-Stromwerts und des Ileicht2-Stromwerts bestimmtwird.
    [10] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß einemder Ansprüche4 bis 9, bei der der Schreibstrom über die Zeit überwacht wird.
    [11] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch10, bei der das Überwachendes Schreibstroms ein periodisches Neukalibrieren des Schreibstromsumfaßt,wobei das Neukalibrieren des Schreibstroms folgende Schritte umfaßt: Subtrahiereneines Deltastroms von dem Leichte-Achse-Schreibstrom, während der Harte-Achse-Schreibstromauf einem Vorgabewert gehalten wird; Verifizieren, daß der Schreibstromimmer noch geeignet ist, um die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) umzuschalten; und falls der Schreibstrom nichtgeeignet ist, um die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) umzuschalten, Inkrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms, bisder Schreibstrom geeignet ist, um die zumindest eine magnetischeTestspeicherzelle (530) umzuschalten; und erneutesHinzuaddieren des Deltastroms zu dem Leichte-Achse-Strom, um den neukalibrierten Schreibstromzu erhalten.
    [12] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß Anspruch10, bei der das Überwachendes Schreibstroms ein periodisches Neukalibrieren des Schreibstromsum faßt,wobei das Neukalibrieren des Schreibstroms folgende Schritte umfaßt: Hinzuaddiereneines Deltastroms zu dem Leichte-Achse-Schreibstrom, während der Harte-Achse-Schreibstromauf Null gesetzt wird; Verifizieren, daß der Schreibstrom die zumindest einemagnetische Testspeicherzelle (530) nicht umschaltet; und fallsder Schreibstrom die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) umschaltet, Dekrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms,bis der Schreibstrom die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) nicht umschaltet; und Subtrahieren des Deltastromsvon dem Leichte-Achse-Strom,um den neukalibrierten Schreibstrom zu erhalten. Hinzuaddiereneines Deltastroms zu dem Leichte-Achse-Schreibstrom, während der Harte-Achse-Schreibstromauf Null gesetzt wird; Verifizieren, daß der Schreibstrom die zumindest einemagnetische Testspeicherzelle (530) nicht umschaltet; und fallsder Schreibstrom die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) umschaltet, Dekrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms,bis der Schreibstrom die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) nicht umschaltet; und Subtrahieren des Deltastromsvon dem dekrementierten Leichte-Achse-Schreibstrom, um den neukalibriertenSchreibstrom zu erhalten.
    [13] Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms gemäß einemder Ansprüche10 bis 12, bei der der Schreibstrom auf ein Erfassen einer vorbestimmtenSchwankung einer Temperatur der Vorrichtung hin neu kalibriert wird.
    [14] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520), das folgende Schritte umfaßt Lieferneines Testschreibstroms an eine magnetische Testspeicherzelle (530); Erfasseneines magnetischen Zustands der magnetischen Testspeicherzelle (530),um ein Schaltansprechen der magnetischen Testspeicherzelle (530)zu bestimmen; und Erzeugen des Schreibstroms, der eine Größe aufweist,die von dem Schaltansprechen abhängigist.
    [15] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß Anspruch14, bei dem der Schreibstromgenerator (510) einen Leichte-Achse-Schreibstromund einen Harte-Achse-Schreibstrom umfaßt.
    [16] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß Anspruch15, bei dem der Schreibstrom zumindest teilweise durch Einstellendes Harte-Achse-Schreibstroms auf einen Vorgabewert, Inkrementierendes Leichte-Achse-Schreibstroms,bis zumindest eine magnetische Speicherzelle (520) ihremagnetischen Orientierungen umschaltet, und Speichern des Ileichtl-Stromwertsbestimmt wird.
    [17] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß Anspruch16, bei dem der Schreibstrom zumindest teilweise durch Einstellendes Harte-Achse-Schreibstroms auf einen Nullwert, Inkrementieren desLeichte-Achse-Schreibstroms, bis zumindest eine magnetische Speicherzelle(520) ihre magnetischen Orientierungen umschaltet, undSpeichern des Ileicht2-Stromwerts bestimmt wird.
    [18] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß Anspruch17, bei dem der Schreibstrom zumindest teilweise durch Mitteln derWerte des Ileichtl-Stromwerts und des Ileicht2-Stromwerts bestimmt wird.
    [19] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß einemder Ansprüche14 bis 17, bei dem der Schreibstrom über die Zeit überwachtwird.
    [20] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß Anspruch19, bei dem das Überwachen desSchreibstroms ein periodisches Neukalibrieren des Schreibstromsumfaßt,wobei das Neukalibrieren des Schreibstroms folgende Schritte umfaßt: Subtrahiereneines Deltastroms von dem Leichte-Achse-Schreibstrom, während der Harte-Achse-Schreibstromauf einem Vorgabewert gehalten wird; Verifizieren, daß der Schreibstromimmer noch geeignet ist, um die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) umzuschalten; und falls der Schreibstrom nichtgeeignet ist, um die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) umzuschalten, Inkrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms, bisder Schreibstrom geeignet ist, um die zumindest eine magnetischeTestspeicherzelle (530) umzuschalten; und erneutesHinzuaddieren des Deltastroms zu dem Leichte-Achse-Strom, um den neukalibrierten Schreibstromzu erhalten.
    [21] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß Anspruch19, bei dem das Überwachen desSchreibstroms ein periodisches Neukalibrieren des Schreibstromsumfaßt,wobei das Neukalibrieren des Schreibstroms folgende Schritte umfaßt: Hinzuaddiereneines Deltastroms zu dem Leichte-Achse-Schreibstrom, während der Harte-Achse-Schreibstromauf Null gesetzt wird; Verifizieren, daß der Schreibstrom die zumindest einemagnetische Testspeicherzelle (530) nicht umschaltet; und fallsder Schreibstrom die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) umschaltet, Dekrementieren des Leichte-Achse-Schreibstroms,bis der Schreibstrom die zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530) nicht umschaltet; und Subtrahieren des Deltastromsvon dem Leichte-Achse-Strom,um den neukalibrierten Schreibstrom zu erhalten.
    [22] Verfahren zum Bestimmen eines Schreibstroms für eine magnetischeSpeicherzelle (520) gemäß einemder Ansprüche14 bis 21, bei dem der Schreibstrom auf ein Erfassen einer vorbestimmtenSchwankung einer Temperatur der Vorrichtung hin neu bestimmt wird.
    [23] Ein Array von magnetischen Speicherzellen (520),wobei das Array eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstromszum Schreiben in die magnetischen Speicherzellen (520)aufweist, wobei die Vorrichtung folgende Merkmale aufweist: einenSchreibstromgenerator (510) zum Erzeugen eines Schreibstroms,wobei der Schreibstrom mit der magnetischen Speicherzelle (520)magnetisch gekoppelt ist; zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530), wobei der Schreibstrom mit der zumindest einen magnetischenTestspeicherzelle (530) magnetisch gekoppelt ist; wobei einSchaltansprechen der zumindest einen magnetischen Testspeicherzelle(530) eine Größe des durch denSchreibstromgenerator (510) erzeugten Schreibstroms bestimmt.
    [24] Rechensystem, das eine Zentralverarbeitungseinheitund einen mit der Zentralverarbeitungseinheit elektronisch verbundenenMagnetspeicher aufweist, wobei der Magnetspeicher ein Array von magnetischenSpeicherzellen aufweist und das Array eine Vorrichtung zum Erzeugeneines Schreibstroms zum Schreiben in die magnetischen Speicherzellen (520)aufweist, wobei die Vorrichtung folgende Merkmale aufweist: einenSchreibstromgenerator (510) zum Erzeugen eines Schreibstroms,wobei der Schreibstrom mit der magnetischen Speicherzelle (520)magnetisch gekoppelt ist; zumindest eine magnetische Testspeicherzelle(530), wobei der Schreibstrom mit der zumindest einen magnetischenTestspeicherzelle (530) magnetisch gekoppelt ist; wobei einSchaltansprechen der zumindest einen magnetischen Testspeicherzelle(530) eine Größe des durch denSchreibstromgenerator (510) erzeugten Schreibstroms bestimmt.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP2005085456A|2005-03-31|
    JP4180030B2|2008-11-12|
    US6791873B1|2004-09-14|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
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